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991.
吴会强%冯吉才%何鹏%石常亮 《宇航材料工艺》2004,34(5):10-14
综述了钛铝基金属间化合物(主要是Ti3Al,TiAl)熔焊连接技术的研究现状,主要涉及电子束焊、激光焊和氩弧焊等方法,指出钛铝基金属间化合物的焊接性不存在本质上不可焊的问题。无论采用何种熔焊方法连接此类合金,焊态下焊接接头的组织和性能一般不理想,焊缝和热影响区很容易脆化。控制冷速是成功连接此类材料的关键,同时受该类材料的物理冶金学特点限制,其组织转变动力机制、氢脆、间隙元素的引入对其焊接性的影响尚未引起注意。 相似文献
992.
安鲁陵%杨玉岭%肖军%周来水 《宇航材料工艺》2007,37(2):51-54
基于七自由度复合材料纤维铺放机器人,对铺放过程中可能出现的碰撞干涉情况进行分析,建立了铺放机器人三维数字化模型,研究了基于实体布尔运算的碰撞干涉检测算法。基于CATIA CAA平台开发了碰撞干涉检测模块,集成于复合材料纤维自动铺放编程软件中,对某型飞机进气道的铺放过程进行了仿真,结果证明本文提出的算法可有效地检测碰撞与干涉。 相似文献
993.
薛莲%扈艳红%沈学宁%黄发荣%杜磊 《宇航材料工艺》2006,36(2):38-40
初步研究了N,N,N’,N’-四炔丙基-4,4’-二氨基-二苯甲烷(TPDDM)的热固化反应。通过DSC分析其固化行为特征。FT-IR观察了它固化过程中特征官能团变化,对比了其在空气中和氮气中固化行为的差异,发现在空气中固化产物出现1733cm^-1的峰,推断是被氧化所致,并通过DSC和FT-IR确定了固化条件。利用TGA技术考察了该固化产物在空气中和氮气中的热稳定性。结果表明:在空气中固化产物起始失重率为5%的分解温度为414.4℃,高于在氮气中的392.8℃。TPDDM的固化产物在氮气中700℃残碳率为53.9%,在空气中全部分解。 相似文献
994.
韩杰才%姚旺%张宇民 《宇航材料工艺》2005,35(4):1-6
主要综述SiC作为光学反射镜材料在设计、制造、光学加工和应用方面的发展现状,同时对今后SiC作为光学镜片材料的发展趋势进行了展望。 相似文献
995.
段跃新%邱婧婧%梁志勇%张佐光 《宇航材料工艺》2004,34(5):26-30,43
根据LCM工艺树脂流动充模模型和FEM/CV算法开发了LCM工艺计算机过程模拟的3D LCM系统,考查了工字型孔尺寸或位置对平板构件充模过程的影响,并进行了对比实验,同时分析了其流动充模模式的变化规律。结果表明模拟结果与实验结果具有较好的吻合性。模拟软件可以比较准确地模拟LCM工艺的充模过程,为指导实际工艺的设计及优化奠定了重要的基础。 相似文献
996.
从制备方法、力学性能、热物理性能、高温性能综述了国内外对混杂增强铝基复合材料的研究现状,提出了混杂增强复合材料目前存在的问题和今后的发展方向。 相似文献
997.
方俊%卫宁%郭红霞%王俊 《宇航材料工艺》2007,37(3):17-19
以含铅增韧双马来酰亚胺为基体,以高Z、低Z金属粉末为填料,制备了抗辐射复合材料,采用蒙特卡罗方法对复合材料对电子辐照屏蔽有效性进行了模拟计算,并与金属W、Al进行了比较。结果表明,Al、Ta及复合材料的实验值与采用采用蒙特卡罗粒子输运方法模拟计算的结果符合性较好;W及复合材料的防辐射性能优良,而Al的防辐射性能较差;复合材料可通过添加低Z组分进行性能设计,提高对韧至辐射的防护能力,且可以减重,以期为采用复合材料对集成电路进行封装提供数据。 相似文献
998.
白湘云%王立峰%吴福迪 《宇航材料工艺》2004,34(4):25-28
介绍了非石棉型有机短纤维和无机填料作为耐烧蚀填料在三元乙丙橡胶内绝热材料中的应用。探讨了它们对三元乙丙橡胶内绝热材料的力学性能、烧蚀性能的影响;同时对耐烧蚀填料的分散状况及加入耐烧蚀填料的三元乙丙橡胶内绝热材料的相关物理性能进行了测试与分析。结果表明:为获得综合的力学性能,耐烧蚀填料应控制合适的份数;非石棉型有机短纤维的加入可以大大提高耐烧蚀能力;所配制的三元乙丙橡胶内绝热材料密度低、隔热性能良好。 相似文献
999.
廖功雄%何伟%董黎明%靳奇峰%蹇锡高 《宇航材料工艺》2005,35(2):22-24,28
采用熔融共混的方式制备了不同短碳纤维含量增强含二氮杂萘酮聚芳醚酮(PPEK)基复合材料,对复合材料的加工性能、力学性能、摩擦性能、耐热性进行了研究。结果表明:短碳纤维增强复合材料均可以注塑成型;短碳纤维对PPEK的增强作用明显,拉伸强度和弯曲强度均有大幅提高;复合材料中短碳纤维起到了明显的自润滑作用,复合材料的摩擦系数和磨损率均随碳纤维含量的增加而明显降低;短碳纤维的加入进一步提高了复合材料的耐热性。 相似文献
1000.
刘琪%冒国兵%万兵%敖建平 《宇航材料工艺》2007,37(1):61-63
在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少。 相似文献